相关证件：
会员类型：
会员年限：15年
周洁 
电话：0755-83722245
手机：13410646086
万玲
电话：0755-28194352
手机：13682394352
程盛钦
电话：0791-86663634
程效良
电话：0791-86227604
地址：深圳分公司：深圳市坪山区坑梓街道沙田开沃大厦C座1813室/南昌分公司：南昌市高新区京东路恒大高新研发楼606-607/ 香港分公司：ROOM 803,CHEVALIER HOUSE 45-51
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Diodes
DMN6068SE-13
SOT-223
18+
N沟道
60 V
5.6 A
100 mΩ
-20 V、+20 V
10.3 nC @ 10 V
11.9 ns
3.7w
| 通道类型 | N |
| 连续漏极电流 | 5.6 A |
| 漏源电压 | 60 V |
| 漏源电阻值 | 100 mΩ |
| 栅阈值电压 | 3V |
| 栅源电压 | -20 V、+20 V |
| 封装类型 | SOT-223 |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 引脚数目 | 3 + Tab |
| 晶体管配置 | 单 |
| 通道模式 | 增强 |
| 类别 | 功率 MOSFET |
| 功率耗散 | 3.7 W |
| 长度 | 6.7mm |
| 典型关断延迟时间 | 11.9 ns |
| 晶体管材料 | Si |
| 典型接通延迟时间 | 3.6 ns |
| 工作温度 | +150 °C |
| 典型输入电容值@Vds | 502 pF@ 30 V |
| 高度 | 1.65mm |
| 尺寸 | 6.7 x 3.7 x 1.65mm |
| 典型栅极电荷@Vgs | 10.3 nC @ 10 V |
| 工作温度 | -55 °C |
| 每片芯片元件数目 | 1 |
| 宽度 | 3.7mm |
